固态硬盘能用多久

要了解固态硬盘的寿命计算的原理，就有必要提一下固态硬盘中的存储介质NAND闪存，因为固态硬盘的寿命很大程度上取决于NAND闪存的寿命。NAND闪存的结构如下图，NAND闪存本质上是一个特殊的MOS晶体管，只是比一般的MOS晶体管多了个栅极，叫做浮栅，用来存储电荷。
当我们对固态硬盘进行写入数据时，也就是对NAND闪存进行写入(Program)操作，实现写入的原理就是利用量子力学的隧穿效应，让电荷通过隧道穿越绝缘氧化层，最终进入浮栅。
当我们对固态硬盘进行擦除数据时，也就是对NAND闪存进行擦除(Erase)操作，实现擦除的原理就是同样是利用量子力学的隧穿效应，让存储在浮栅的电荷通过隧道穿越绝缘氧化层进入到沟道之中。
上面介绍的写入(Program)和擦除(Erase)过程，都提到电荷要穿越绝缘氧化层。如果进行大量写入和擦除操作，就会对绝缘氧化层造成不可逆的伤害。随着P/E cycle(写入/擦除循环次数)的不断增加，绝缘氧化层的厚度就会越来越薄，出现越来越多的缺陷。这些绝缘氧化层的缺陷，会导致存储在浮栅中的电荷逃逸，结果就是我们存储的数据丢失。可怕吗？实在是太可怕了，对于辛苦保持的数据被丢失，小编表示绝对不可接受！
到这里，我们应该就可以了解到，P/E Cycle就是一个判断NAND闪存寿命的关键参数。NAND闪存主要分为SLC, MLC, TLC(还有QLC，由于还未进入市场，这里就先不提了)。其中，SLC NAND的PE cyle最大，TLC NAND的PE Cylce最小。